研發中心

研發歷史

　　公司在美國、臺灣設有研發基地，充分利用中央大學和臺灣工研院的人力、智力及設備資源進行技術革新及知識產權的開發，以及美國硅谷的信息及完善的IC產業基礎進行正式投產前生產流程開發論證；2008年末，將8英寸SOI晶圓片生產製程完整地應用到公司生產線，進行新技術可行性試驗和開發，並對該技術的工藝流程及產業化製程進行了論證和完善，爲該技術在瀋陽實施產業化打下了良好基礎。2014年底，公司已經完成SOI晶圓片、外延片各系列產品的量產工作。

研發背景

　　公司主要技術來源爲中國海外留學博士，熟悉和掌握SOI、SSOI晶圓片製造工藝和技術，其以自己專有的SOI晶圓片製造專利技術，在瀋陽建立SOI晶圓片生產線，提供優質的SOI晶圓片。

知識產權

　　TM-SOI技術是專有的SOI晶圓片製造方法，可以實現第三代 “硅片鍵合和薄膜轉移” 薄膜SOI晶圓片加工。
　　公司擁有TM-SOI自主知識產權和全套SOI晶圓片加工技術。