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硅-硅鍵合片

硅-硅鍵合片

  • 分類:產品展示
  • 發佈時間:2021-05-20 08:33:15
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概要:
概要:
詳情
當外延層厚度大於50um,硅-硅鍵合片具有更好的成本優勢。
 
對於高壓器件,例如MOSFET和IGBT來說,是可行的替代材料。
 
良好的TEM和SRP測試結果,確保硅-硅鍵合片的質量。

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